Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
2 (Continuous) A, 4 (Peak) A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
500
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
2mA
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
50 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Base Current
50mA
Aukštis
15.75mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,468
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,566
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,468
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,566
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,468 | € 23,42 |
100 - 450 | € 0,34 | € 17,01 |
500 - 950 | € 0,292 | € 14,60 |
1000 - 2450 | € 0,286 | € 14,28 |
2500+ | € 0,278 | € 13,91 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
2 (Continuous) A, 4 (Peak) A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
500
Maximum Collector Base Voltage
100 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V dc
Maximum Collector Cut-off Current
2mA
Plotis
4.83mm
Maximum Power Dissipation
50 W
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.53mm
Base Current
50mA
Aukštis
15.75mm
Kilmės šalis
China