Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,328
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,397
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 0,328
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,397
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,328 | € 8,19 |
125 - 475 | € 0,151 | € 3,78 |
500 - 1225 | € 0,142 | € 3,56 |
1250+ | € 0,124 | € 3,09 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.9 nC @ 4.5 V, 3.6 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm
Produkto aprašymas