Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,386
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,467
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
€ 0,386
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,467
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,386 | € 9,66 |
50 - 100 | € 0,377 | € 9,42 |
125 - 225 | € 0,366 | € 9,16 |
250 - 475 | € 0,358 | € 8,95 |
500+ | € 0,346 | € 8,66 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm
Produkto aprašymas