Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
203 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
3.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Plotis
5.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.1mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 6,30
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 7,623
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 6,30
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 7,623
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 5 | € 6,30 | € 31,50 |
10 - 95 | € 5,355 | € 26,78 |
100 - 245 | € 4,305 | € 21,52 |
250 - 495 | € 4,042 | € 20,21 |
500+ | € 3,78 | € 18,90 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
203 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
3.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Plotis
5.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.1mm