Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
240 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Aukštis
20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 6,195
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 7,496
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
€ 6,195
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 7,496
Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 90 | € 6,195 | € 185,85 |
120 - 240 | € 5,46 | € 163,80 |
270 - 480 | € 5,25 | € 157,50 |
510 - 990 | € 5,145 | € 154,35 |
1020+ | € 4,988 | € 149,62 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
240 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Aukštis
20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China