Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Aukštis
20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 7,35
Each (In a Tube of 450) (be PVM)
€ 8,894
Each (In a Tube of 450) (su PVM)
450
€ 7,35
Each (In a Tube of 450) (be PVM)
€ 8,894
Each (In a Tube of 450) (su PVM)
450
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.82mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Aukštis
20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V