Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
337 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.82mm
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
20.82mm
Kilmės šalis
China
€ 165,00
€ 5,50 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 199,65
€ 6,655 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30

€ 165,00
€ 5,50 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 199,65
€ 6,655 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
30

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
337 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.82mm
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
20.82mm
Kilmės šalis
China