Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Plotis
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
6.35mm
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 8,98
€ 0,898 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 10,87
€ 1,087 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

€ 8,98
€ 0,898 Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 10,87
€ 1,087 Each (In a Pack of 10) (su PVM)
Standartas
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,898 | € 8,98 |
100 - 240 | € 0,873 | € 8,73 |
250 - 990 | € 0,847 | € 8,47 |
1000+ | € 0,828 | € 8,28 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
55 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Plotis
2.38mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
6.35mm
Produkto aprašymas