Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
915 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SC-75
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
0.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.82 nC @ 4.5 V
Plotis
1.6mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,054
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,065
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
€ 0,054
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,065
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
915 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SC-75
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
0.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.82 nC @ 4.5 V
Plotis
1.6mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Produkto aprašymas