Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
300 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
5000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Ilgis
3.04mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,026
Each (On a Reel of 10000) (be PVM)
€ 0,031
Each (On a Reel of 10000) (su PVM)
10000
€ 0,026
Each (On a Reel of 10000) (be PVM)
€ 0,031
Each (On a Reel of 10000) (su PVM)
10000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
300 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
5000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Cut-off Current
100nA
Ilgis
3.04mm
Aukštis
1.01mm
Plotis
1.4mm
Maximum Power Dissipation
300 mW
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C