Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 2mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,399
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,483
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 0,399
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,483
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,399 | € 19,95 |
250 - 450 | € 0,238 | € 11,88 |
500 - 2450 | € 0,231 | € 11,54 |
2500 - 4950 | € 0,226 | € 11,30 |
5000+ | € 0,22 | € 11,02 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 2mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.