Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Diode Technology
Silicon Junction
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kaiščių skaičius
4
Bridge Type
Single Phase
Junction Capacitance
200pF
Peak Reverse Repetitive Voltage
200V
Peak Average Forward Current
35A
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Peak Forward Voltage
1.1V
Peak Reverse Current
5µA
Configuration
Single
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
400A
Aukštis
11.23mm
Plotis
29mm
Ilgis
29mm
Batteries
3 x AAA BatteryPakuotės tipas
GBPC 4L
Matmenys
29 x 29 x 11.23mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,13
Each (In a Bag of 50) (be PVM)
€ 6,207
Each (In a Bag of 50) (su PVM)
50
€ 5,13
Each (In a Bag of 50) (be PVM)
€ 6,207
Each (In a Bag of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Diode Technology
Silicon Junction
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kaiščių skaičius
4
Bridge Type
Single Phase
Junction Capacitance
200pF
Peak Reverse Repetitive Voltage
200V
Peak Average Forward Current
35A
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Peak Forward Voltage
1.1V
Peak Reverse Current
5µA
Configuration
Single
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
400A
Aukštis
11.23mm
Plotis
29mm
Ilgis
29mm
Batteries
3 x AAA BatteryPakuotės tipas
GBPC 4L
Matmenys
29 x 29 x 11.23mm