Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Continuous Collector Current
120 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
600 W
Pakuotės tipas
TO-3PN
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Matmenys
15.8 x 5 x 20.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Produkto aprašymas
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,80
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 7,02
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1
€ 5,80
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 7,02
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 5,80 |
10 - 99 | € 4,56 |
100 - 249 | € 3,99 |
250 - 499 | € 3,94 |
500+ | € 3,47 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Continuous Collector Current
120 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
600 W
Pakuotės tipas
TO-3PN
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Matmenys
15.8 x 5 x 20.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Produkto aprašymas
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.