Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Aukštis
15.21mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,785
Each (In a Tube of 800) (be PVM)
€ 2,16
Each (In a Tube of 800) (su PVM)
800
€ 1,785
Each (In a Tube of 800) (be PVM)
€ 2,16
Each (In a Tube of 800) (su PVM)
800
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
800 - 800 | € 1,785 | € 1 428,00 |
1600 - 2400 | € 1,575 | € 1 260,00 |
3200 - 4800 | € 1,522 | € 1 218,00 |
5600+ | € 1,47 | € 1 176,00 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Aukštis
15.21mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China