Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDirection Type
Uni-Directional
Diode Configuration
Complex Array
Maximum Clamping Voltage
10V
Minimum Breakdown Voltage
5.5V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
U-DFN2510
Maximum Reverse Stand-off Voltage
5V
Kaiščių skaičius
10
Maximum Peak Pulse Current
1A
ESD protection
Yes
Number of Elements per Chip
5
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Matmenys
2.5 x 1 x 0.5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Aukštis
0.5mm
Plotis
1mm
Test Current
1mA
Maximum Reverse Leakage Current
1µA
Ilgis
2.5mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,245
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,296
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,245
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,296
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiDirection Type
Uni-Directional
Diode Configuration
Complex Array
Maximum Clamping Voltage
10V
Minimum Breakdown Voltage
5.5V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
U-DFN2510
Maximum Reverse Stand-off Voltage
5V
Kaiščių skaičius
10
Maximum Peak Pulse Current
1A
ESD protection
Yes
Number of Elements per Chip
5
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Matmenys
2.5 x 1 x 0.5mm
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Aukštis
0.5mm
Plotis
1mm
Test Current
1mA
Maximum Reverse Leakage Current
1µA
Ilgis
2.5mm
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas