Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
380 mW
Minimum DC Current Gain
420
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.2 x 1.35 x 1mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,033
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,04
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,033
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,04
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,033 | € 99,75 |
9000 - 12000 | € 0,029 | € 88,35 |
15000+ | € 0,027 | € 79,80 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
380 mW
Minimum DC Current Gain
420
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2.2 x 1.35 x 1mm
Kilmės šalis
China