Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
2.9pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Plotis
1.5mm
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,408
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,494
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
€ 0,408
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,494
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
25 - 100 | € 0,408 | € 10,21 |
125 - 225 | € 0,369 | € 9,21 |
250 - 600 | € 0,329 | € 8,22 |
625 - 1225 | € 0,281 | € 7,04 |
1250+ | € 0,214 | € 5,36 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
2.9pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Plotis
1.5mm
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.