Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2500
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.75mm
Plotis
10.28mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Aukštis
4.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,782
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,946
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 0,782
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 0,946
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,782 | € 39,11 |
100 - 200 | € 0,57 | € 28,51 |
250 - 450 | € 0,551 | € 27,56 |
500 - 950 | € 0,467 | € 23,36 |
1000+ | € 0,399 | € 19,95 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2500
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.75mm
Plotis
10.28mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Aukštis
4.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
15.75 x 10.28 x 4.82mm