Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
WDFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
13.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
20.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
150 °C
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Aukštis
0.75mm
Serija
NTTFS4928N
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,183
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 0,221
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
€ 0,183
Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 0,221
Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
WDFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
13.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
20.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
3.15mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
150 °C
Ilgis
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Aukštis
0.75mm
Serija
NTTFS4928N
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V