Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SO-8FL
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
2.72 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24.5 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.1mm
Plotis
6.1mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,605
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 0,732
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 0,605
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 0,732
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SO-8FL
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
4.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
2.72 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
24.5 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.1mm
Plotis
6.1mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm