Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.1mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
600 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
300 mW
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
3.04 x 1.4 x 1.1mm