Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.5 → 20mA
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
300 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,606
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,733
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 0,606
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,733
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 0,606 | € 3,03 |
25 - 95 | € 0,309 | € 1,54 |
100 - 245 | € 0,17 | € 0,85 |
250 - 495 | € 0,156 | € 0,78 |
500+ | € 0,143 | € 0,71 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.5 → 20mA
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
300 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.