Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
57 nC @ 10 V
Aukštis
16.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,785
Each (In a Tube of 1000) (be PVM)
€ 2,16
Each (In a Tube of 1000) (su PVM)
1000
€ 1,785
Each (In a Tube of 1000) (be PVM)
€ 2,16
Each (In a Tube of 1000) (su PVM)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
99 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
43 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
57 nC @ 10 V
Aukštis
16.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China