Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20 → 100mA
Maximum Drain Source Voltage
0.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.97mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,335
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,405
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
€ 0,335
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,405
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,335 | € 16,75 |
250 - 450 | € 0,185 | € 9,24 |
500 - 2450 | € 0,175 | € 8,77 |
2500 - 4950 | € 0,134 | € 6,72 |
5000+ | € 0,118 | € 5,88 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20 → 100mA
Maximum Drain Source Voltage
0.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.97mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.