Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
6 → 13mA
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.58mm
Aukštis
4.58mm
Plotis
3.86mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,308
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (be PVM)
€ 0,373
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (su PVM)
50
€ 0,308
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (be PVM)
€ 0,373
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Maišas |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,308 | € 15,38 |
500+ | € 0,134 | € 6,72 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
6 → 13mA
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.58mm
Aukštis
4.58mm
Plotis
3.86mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.