Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
200 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
1.1pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.1mm
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,086
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,104
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,086
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,104
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
200 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
1.1pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.1mm
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.