Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
160 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
320 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,056
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,068
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
30
€ 0,056
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,068
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
30
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
160 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
320 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas