Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.48V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,092
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,111
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,092
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,111
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,092 | € 276,45 |
6000 - 12000 | € 0,087 | € 262,20 |
15000 - 27000 | € 0,069 | € 208,05 |
30000 - 57000 | € 0,066 | € 196,65 |
60000+ | € 0,062 | € 185,25 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
360 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.48V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas