Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pakuotės tipas
SOT-323 (SC-70)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
Malaysia
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,189
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,229
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
€ 0,189
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,229
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,189 | € 9,45 |
100 - 200 | € 0,165 | € 8,26 |
250 - 450 | € 0,135 | € 6,74 |
500 - 950 | € 0,13 | € 6,51 |
1000+ | € 0,124 | € 6,22 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pakuotės tipas
SOT-323 (SC-70)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
Malaysia