Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Pakuotės tipas
DFN1006B, SOT-883B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
65 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
1.05 x 0.65 x 0.36mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,084
Each (On a Reel of 10000) (be PVM)
€ 0,102
Each (On a Reel of 10000) (su PVM)
10000
€ 0,084
Each (On a Reel of 10000) (be PVM)
€ 0,102
Each (On a Reel of 10000) (su PVM)
10000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10000 - 10000 | € 0,084 | € 840,00 |
20000 - 40000 | € 0,082 | € 819,00 |
50000 - 90000 | € 0,08 | € 798,00 |
100000+ | € 0,079 | € 787,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Pakuotės tipas
DFN1006B, SOT-883B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
65 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
1.05 x 0.65 x 0.36mm