Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
175 mA
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
740 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Plotis
4.19mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
5.33mm
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,862
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,043
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,862
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,043
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 20 | € 0,862 | € 8,62 |
30 - 90 | € 0,819 | € 8,19 |
100+ | € 0,757 | € 7,57 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
175 mA
Maximum Drain Source Voltage
300 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
740 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Plotis
4.19mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
5.33mm
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.