Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
14.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,232
Each (On a Reel of 25) (be PVM)
€ 0,281
Each (On a Reel of 25) (su PVM)
25
€ 0,232
Each (On a Reel of 25) (be PVM)
€ 0,281
Each (On a Reel of 25) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
14.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.