Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Serija
HiperFET
Pakuotės tipas
PLUS264
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.79 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
20.29mm
Typical Gate Charge @ Vgs
340 @ 10 V nC
Aukštis
26.59mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 40,47
už 1 vnt. (be PVM)
€ 48,97
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 40,47
už 1 vnt. (be PVM)
€ 48,97
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 40,47 |
5 - 9 | € 38,48 |
10+ | € 37,43 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
850 V
Serija
HiperFET
Pakuotės tipas
PLUS264
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
1.79 kW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
5.31mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
20.29mm
Typical Gate Charge @ Vgs
340 @ 10 V nC
Aukštis
26.59mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V