Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
79 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Aukštis
2.39mm
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,519
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 0,628
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
€ 0,519
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 0,628
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
155 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
79 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
Si
Aukštis
2.39mm
Serija
HEXFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China