Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
41 nC @ 5 V
Serija
IRF7809AV
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.5mm
Forward Diode Voltage
1.3V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,151
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,183
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,151
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,183
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SO
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
41 nC @ 5 V
Serija
IRF7809AV
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.5mm
Forward Diode Voltage
1.3V