Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
800 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Pakuotės tipas
AG-62MMHB
Configuration
Single Collector, Single Emitter, Single Gate
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
Infineon FF800R12KE7EHPSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 800 A 1200 V, 3-Pin AG-62MMHB, Through
1

P.O.A.
Infineon FF800R12KE7EHPSA1 Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 800 A 1200 V, 3-Pin AG-62MMHB, Through
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonMaximum Continuous Collector Current
800 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
2
Pakuotės tipas
AG-62MMHB
Configuration
Single Collector, Single Emitter, Single Gate
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3