Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Type
N
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Tvirtinimo tipas
Panel Mount
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Transistor Configuration
Series
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Configuration
Series
Maximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Pakuotės tipas
AG-34MM-1
Maximum Power Dissipation
555 W
Markė
InfineonMatmenys
94 x 34 x 30.2mm
Kilmės šalis
Malaysia
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 93,10
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (be PVM)
€ 112,651
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (su PVM)
10
€ 93,10
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (be PVM)
€ 112,651
Už kiekviena vnt. (tiekiama ant padeklo) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Type
N
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Tvirtinimo tipas
Panel Mount
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Transistor Configuration
Series
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Configuration
Series
Maximum Continuous Collector Current
100 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Pakuotės tipas
AG-34MM-1
Maximum Power Dissipation
555 W
Markė
InfineonMatmenys
94 x 34 x 30.2mm
Kilmės šalis
Malaysia