Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Automotive Standard
AEC-Q101
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Forward Diode Voltage
1.3V
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Serija
AUIRF
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Pakuotės tipas
TO-262
Aukštis
4.83mm
Ilgis
10.67mm
Plotis
9.65mm
Maximum Power Dissipation
375 W
Maximum Continuous Drain Current
99 A
Markė
InfineonMaximum Drain Source Resistance
12.1 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
77 nC @ 10 V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,232
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,701
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
€ 2,232
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,701
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Automotive Standard
AEC-Q101
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Forward Diode Voltage
1.3V
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Serija
AUIRF
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Pakuotės tipas
TO-262
Aukštis
4.83mm
Ilgis
10.67mm
Plotis
9.65mm
Maximum Power Dissipation
375 W
Maximum Continuous Drain Current
99 A
Markė
InfineonMaximum Drain Source Resistance
12.1 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
77 nC @ 10 V