N-channel MOSFET,IRF630 9A 200V 50pcs
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
74 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Aukštis
9.15mm
Plotis
4.6mm
Produkto aprašymas
Molex BEAU Series Power Connectors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
74 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Aukštis
9.15mm
Plotis
4.6mm
Produkto aprašymas
Molex BEAU Series Power Connectors