Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10V
Aukštis
2.26mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,045
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,264
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
€ 1,045
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,264
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10V
Aukštis
2.26mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China