Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
DMP
Pakuotės tipas
U-DFN2020
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.97 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.2 @ 10 V nC
Plotis
2.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
0.58mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,18
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,218
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,18
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,218
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
DMP
Pakuotės tipas
U-DFN2020
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.97 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.2 @ 10 V nC
Plotis
2.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
0.58mm
Produkto aprašymas