Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
X2-DFN1006
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
700 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
0.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Aukštis
0.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,035
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,042
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,035
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,042
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,035 | € 105,45 |
9000 - 12000 | € 0,034 | € 102,60 |
15000+ | € 0,034 | € 102,60 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
X2-DFN1006
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
700 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Plotis
0.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Aukštis
0.35mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China