Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Analog DevicesAmplifier Type
Low Noise
Typical Output Power
2dBm
Number of Channels per Chip
1
Maximum Operating Frequency
5.5 GHz
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SMT
Kaiščių skaičius
24
Matmenys
4.1 x 4.1 x 1mm
Aukštis
1mm
Ilgis
4.1mm
Serija
Hittite
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Maximum Operating Supply Voltage
3 V
Plotis
4.1mm
Produkto aprašymas
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.
Radio Frequency (RF) Amplifiers, Analog Devices
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 11,02
už 1 vnt. (be PVM)
€ 13,33
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
€ 11,02
už 1 vnt. (be PVM)
€ 13,33
už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Analog DevicesAmplifier Type
Low Noise
Typical Output Power
2dBm
Number of Channels per Chip
1
Maximum Operating Frequency
5.5 GHz
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SMT
Kaiščių skaičius
24
Matmenys
4.1 x 4.1 x 1mm
Aukštis
1mm
Ilgis
4.1mm
Serija
Hittite
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Maximum Operating Supply Voltage
3 V
Plotis
4.1mm
Produkto aprašymas
RF Amplifiers, Analog Devices Hittite
Analog Devices Hittite have a series of RF amplifiers that have a range of functions. Some feature low Noise amplifiers, some RF Amplifiers are integrated with resonators, negative resistance devices, varactor diodes, and buffer amplifiers and other offer high efficiency GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) MMIC driver amplifiers.