Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-247AC
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
235 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Plotis
5.31mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
20.7mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 8,50
už 1 vnt. (be PVM)
€ 10,29
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 8,50
už 1 vnt. (be PVM)
€ 10,29
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 8,50 |
10 - 24 | € 8,30 |
25 - 49 | € 7,88 |
50 - 99 | € 7,56 |
100+ | € 7,04 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-247AC
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
235 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
370 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
150 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
15.87mm
Plotis
5.31mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
20.7mm
Produkto aprašymas