Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
HVMDIP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Plotis
6.29mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
3.37mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,76
už 1 vnt. (be PVM)
€ 0,92
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 0,76
už 1 vnt. (be PVM)
€ 0,92
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 0,76 |
10 - 49 | € 0,70 |
50 - 99 | € 0,61 |
100 - 249 | € 0,57 |
250+ | € 0,53 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Pakuotės tipas
HVMDIP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Plotis
6.29mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
3.37mm
Produkto aprašymas