N-Channel MOSFET, 349 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Texas Instruments CSD18536KTTT

RS kodas: 133-0153Gamintojas: Texas InstrumentsGamintojo kodas: CSD18536KTTT
View all in MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

349 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Pakuotės tipas

D2PAK (TO-263)

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Plotis

11.33mm

Number of Elements per Chip

1

Maksimali darbinė temperatūra

+175 °C

Ilgis

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

230 nC @ 10 V

Aukštis

4.83mm

Serija

NexFET

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Produkto aprašymas

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 5,46

už 1 vnt. (be PVM)

€ 6,61

už 1 vnt. (su PVM)

N-Channel MOSFET, 349 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Texas Instruments CSD18536KTTT
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

€ 5,46

už 1 vnt. (be PVM)

€ 6,61

už 1 vnt. (su PVM)

N-Channel MOSFET, 349 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Texas Instruments CSD18536KTTT
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

Pirkti dideliais kiekiais

kiekisVieneto kaina
1 - 9€ 5,46
10 - 49€ 4,72
50 - 249€ 4,15
250 - 499€ 3,41
500+€ 3,04

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

349 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Pakuotės tipas

D2PAK (TO-263)

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Plotis

11.33mm

Number of Elements per Chip

1

Maksimali darbinė temperatūra

+175 °C

Ilgis

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

230 nC @ 10 V

Aukštis

4.83mm

Serija

NexFET

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Produkto aprašymas

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments