Dual P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments BQ500101DPCT
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
VSON-CLIP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Plotis
3.6mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
4.6mm
Aukštis
1mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Forward Diode Voltage
0.24V
Produkto aprašymas
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,354
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,428
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 0,354
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,428
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
VSON-CLIP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Plotis
3.6mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+125 °C
Ilgis
4.6mm
Aukštis
1mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Forward Diode Voltage
0.24V
Produkto aprašymas