Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
370 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Plotis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
181 nC @ 10 V
Ilgis
5.1mm
Serija
NVMFS5C404NL
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.05mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,20
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 5,082
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 4,20
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 5,082
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 8 | € 4,20 | € 8,40 |
10 - 18 | € 3,728 | € 7,46 |
20 - 48 | € 3,36 | € 6,72 |
50 - 98 | € 3,15 | € 6,30 |
100+ | € 3,098 | € 6,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
370 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
200 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Plotis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
181 nC @ 10 V
Ilgis
5.1mm
Serija
NVMFS5C404NL
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Aukštis
1.05mm
Produkto aprašymas