Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
920 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
166 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
86 nC @ 10 V
Aukštis
1.05mm
Serija
NTMFS5C410N
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 40V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,582
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,704
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 0,582
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,704
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
920 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
166 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
5.1mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
86 nC @ 10 V
Aukštis
1.05mm
Serija
NTMFS5C410N
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Produkto aprašymas