Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-723
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
550 mW
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Plotis
0.85mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
1.25mm
Aukštis
0.55mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,104
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,126
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,104
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,126
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-723
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
550 mW
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Plotis
0.85mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
1.25mm
Aukštis
0.55mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas